日前國產(chǎn)存儲芯片企業(yè)之一宣布DDR5內(nèi)存取得了重大突破，這對于國產(chǎn)芯片來說無疑是又一個重大突破，將加快國產(chǎn)存儲芯片替代進口芯片。
據(jù)悉國產(chǎn)存儲芯片新推出的LPDDR5內(nèi)存顆粒的容量和讀取速度都提升了50%，達到12GB、6400Mbps，功耗也降低了30%；針對服務器等產(chǎn)品的特殊需求，新款LPDDR5內(nèi)存內(nèi)置糾錯碼等技術，可以實時糾錯，確保數(shù)據(jù)安全，增強穩(wěn)定性。
存儲芯片主要有NAND flash存儲芯片和DDR內(nèi)存芯片，這兩種存儲芯片，國內(nèi)都有企業(yè)研發(fā)成功，并達到了世界領先水平，其中NAND flash存儲芯片在去年率先量產(chǎn)了全球最先進的232層技術。
國產(chǎn)存儲芯片在技術水平方面的快速提升，滿足了手機、PC和服務器對先進存儲芯片的需求，這次的國產(chǎn)LPDDR5內(nèi)存也迅速獲得了幾家國產(chǎn)手機的認可，并已展開測試，預計很快就將搭載于手機上提供給消費者使用。
存儲芯片是國產(chǎn)芯片當中取得突破的重要芯片種類之一，并且已達到了全球先進水平，這對于國產(chǎn)芯片來說具有重要意義，尤其是國產(chǎn)存儲芯片成立于2016年，僅僅7年時間就達到了世界先進水平，證明了中國確實有足夠豐富的人才和技術可以快速縮短乃至趕超全球芯片技術水平。
存儲芯片這幾年同樣受到了芯片設備進口的困擾，不過兩大存儲芯片企業(yè)竭力解決困難，利用現(xiàn)有的芯片設備實現(xiàn)了先進的芯片技術，這讓外國同行相當驚訝，中國芯片行業(yè)的創(chuàng)新力實在太驚人。
隨著中國存儲芯片的發(fā)展，全球存儲芯片行業(yè)都感受到巨大的壓力，因為中國是全球最大的存儲芯片市場，國產(chǎn)存儲芯片大舉替代進口芯片，導致韓國的存儲芯片出口暴跌，美國存儲芯片企業(yè)美光連續(xù)虧損，美光僅是今年上半年年就巨虧42億美元。
這幾年中國的芯片行業(yè)已在太多芯片種類上打破了空白，近期有手機企業(yè)就表示推出的5G手機有九成芯片采用了國產(chǎn)芯片，存儲芯片當然也是實現(xiàn)國產(chǎn)芯片替代的種類之一。
如今國產(chǎn)芯片替代率已提升到三成以上，隨著國產(chǎn)芯片替代的推進，中國的芯片進口穩(wěn)步減少，今年前三季度中國的芯片進口量同比減少14.6%，芯片進口額減少600多億美，這已導致美國芯片蒙受了巨額的損失，至少四家美國芯片企業(yè)出現(xiàn)虧損。
隨著國產(chǎn)芯片取得突破，美國芯片不僅大幅降價，還積極為中國市場定制相應的芯片，他們都擔憂中國芯片取得突破后，將失去中國市場，就連此前態(tài)度強硬的美光也在近期派出高官訪華，希望恢復與中國企業(yè)的合作，繼續(xù)對中國銷售存儲芯片。
事實證明了只要中國芯片堅持自主創(chuàng)新，真正實現(xiàn)自主研發(fā)，國產(chǎn)芯片具有替代進口的芯片的能力，海外芯片就會迅速放下身段，降價求售，而不是如此前那樣吊起來賣，還賣得死貴，這樣的事實將促使中國芯片持續(xù)加強自主研發(fā)，打破海外芯片的壟斷。
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