4月17日消息（顏翊）AI時代，大數(shù)據(jù)的高速存儲至關重要。如何突破信息存儲速度極限，一直是集成電路領域最核心的基礎性問題之一，也是制約AI算力上限的關鍵技術瓶頸。
據(jù)復旦大學消息，復旦大學集成芯片與系統(tǒng)全國重點實驗室、芯片與系統(tǒng)前沿技術研究院周鵬-劉春森團隊通過構建準二維泊松模型，團隊成功在理論上預測了超注入現(xiàn)象，據(jù)此研制的皮秒閃存器件的擦寫速度闖入亞1納秒大關（400皮秒），相當于每秒可執(zhí)行25億次操作，性能超越同技術節(jié)點下世界最快的易失性存儲SRAM技術。
相關成果以《亞納秒超注入閃存》（Subnanosecond flash memoryenabled by 2D-enhanced hot-carrier injection）為題，于北京時間4月16日晚間在《自然》（Nature）期刊上發(fā)表。
據(jù)稱，這是迄今為止世界上最快的半導體電荷存儲技術，實現(xiàn)了存儲、計算速度相當，在完成規(guī)?；珊笥型麖氐最嵏铂F(xiàn)有的存儲器架構。在該技術基礎上，未來的個人電腦將不存在內存和外存的概念，無需分層存儲，還能實現(xiàn)AI大模型的本地部署。
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