近日，DigiTimes在一份報告中稱，三星3nm工藝量產(chǎn)時間可能已經(jīng)延期至2022年。

三星原計劃2021年初量產(chǎn)3nm，但受疫情影響，三星預(yù)期時間可能已經(jīng)延期至2022年，業(yè)內(nèi)消息人士指出，這并非工藝制造上的延遲，而是因為EUV光刻機等關(guān)鍵設(shè)備在物流上的延遲所致。

三星早在去年就宣布了3nm GAE工藝，將在3nm節(jié)點放棄FinFET晶體管，轉(zhuǎn)向GAA環(huán)繞柵極晶體管工藝，比7nm工藝，3nm GAE工藝號稱可將核心面積減少45%，功耗降低50%，性能提升35%。

而三星最大對手臺積電也因為疫情原因半導(dǎo)體裝備及安裝人員都無法按期完成，原計劃在6月份風險試產(chǎn)的3nm FinFET工藝，試產(chǎn)時間將延期到10月份。

相應(yīng)地，臺積電南科18廠的3nm生產(chǎn)線也會順延一個季度，原本在10月份安裝設(shè)備，現(xiàn)在也要到2021年初了。

生成海報

免責聲明：本網(wǎng)站內(nèi)容主要來自原創(chuàng)、合作伙伴供稿和第三方自媒體作者投稿，凡在本網(wǎng)站出現(xiàn)的信息，均僅供參考。本網(wǎng)站將盡力確保所提供信息的準確性及可靠性，但不保證有關(guān)資料的準確性及可靠性，讀者在使用前請進一步核實，并對任何自主決定的行為負責。本網(wǎng)站對有關(guān)資料所引致的錯誤、不確或遺漏，概不負任何法律責任。任何單位或個人認為本網(wǎng)站中的網(wǎng)頁或鏈接內(nèi)容可能涉嫌侵犯其知識產(chǎn)權(quán)或存在不實內(nèi)容時，應(yīng)及時向本網(wǎng)站提出書面權(quán)利通知或不實情況說明，并提供身份證明、權(quán)屬證明及詳細侵權(quán)或不實情況證明。本網(wǎng)站在收到上述法律文件后，將會依法盡快聯(lián)系相關(guān)文章源頭核實，溝通刪除相關(guān)內(nèi)容或斷開相關(guān)鏈接。