極客網6月13日消息，近日，在加利福尼亞州圣何塞舉辦的2024年三星晶圓代工論壇年度博覽會上，三星公布了其最新的半導體芯片工藝路線圖，宣布了其在未來幾年的重大技術進步計劃。

根據三星的公布，該公司計劃在2025年實現(xiàn)2nm芯片的量產，并在2027年進一步將工藝推進至1.4nm。這一雄心勃勃的計劃彰顯了三星在半導體工藝領域的持續(xù)創(chuàng)新和領先地位。

值得注意的是，三星的2nm工藝布局了多個節(jié)點，包括SF2、SF2P、SF2X、SF2A和SF2Z等。其中，第一代2nm工藝SF2預計將在明年準備就緒，而最先進的SF2Z節(jié)點則計劃于2027年實現(xiàn)量產商用。SF2Z采用了先進的后端供電網絡（BSPDN）技術，旨在提高電源效率，為用戶提供更加高效和穩(wěn)定的芯片產品。

三星的2nm工藝在技術上進行了多項創(chuàng)新。該工藝進一步完善了多橋-通道場效應晶體管（MBCFET）架構，并采用了獨特的外延和集成工藝。與基于FinFET的工藝技術相比，MBCFET架構的晶體管性能提升了11%至46%，可變性降低了26%，同時漏電降低了約50%。這些技術上的改進將極大地提升三星芯片的性能和效率。

此外，三星在今年2月宣布與Arm展開合作，共同優(yōu)化下一代Arm Cortex-X/Cortex-A CPU內核。這一合作將基于三星的GAA晶體管技術，旨在進一步提高芯片的性能和效率。通過與Arm的合作，三星將能夠為客戶提供更加出色的處理器產品，滿足各種應用場景的需求。

總的來說，三星的2nm工藝計劃展示了其在半導體工藝領域的持續(xù)創(chuàng)新和領先地位。通過不斷的技術進步和合作創(chuàng)新，三星將繼續(xù)推動半導體產業(yè)的發(fā)展，為用戶提供更加出色的芯片產品。

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