美光打破三星壟斷，成為英偉達(dá)SOCAMM內(nèi)存芯片獨(dú)家供應(yīng)商：能效提升20%！

隨著科技的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)中心AI服務(wù)器對(duì)內(nèi)存的需求也在日益增長。在這個(gè)領(lǐng)域，英偉達(dá)作為領(lǐng)軍企業(yè)，一直在尋求更高效、更低功耗的內(nèi)存解決方案。近日，英偉達(dá)已選定美光科技作為其下一代內(nèi)存解決方案SOCAMM的首家供應(yīng)商，這一消息引起了業(yè)界的廣泛關(guān)注。

SOCAMM（小型壓縮附加內(nèi)存模塊）是一種專為數(shù)據(jù)中心AI服務(wù)器設(shè)計(jì)的新型高性能、低功耗內(nèi)存。這種技術(shù)的出現(xiàn)，被部分業(yè)界人士視為“第二代高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）”。在AI加速中的關(guān)鍵作用，使得SOCAMM被視為繼HBM之后的下一代技術(shù)。

美光科技憑借其在低功耗DRAM性能上的優(yōu)勢(shì)，率先獲得英偉達(dá)的量產(chǎn)批準(zhǔn)，成為了SOCAMM的首家供應(yīng)商。這一突破性的成就，不僅打破了三星在SOCAMM芯片領(lǐng)域的壟斷，也標(biāo)志著美光在內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域取得了重大進(jìn)展。

與垂直堆疊并與GPU緊密集成的HBM不同，SOCAMM主要支持中央處理器（CPU），在優(yōu)化AI工作負(fù)載方面扮演關(guān)鍵的支撐角色。首批SOCAMM模塊基于堆疊式LPDDR5X芯片，由英偉達(dá)設(shè)計(jì)，將應(yīng)用于其計(jì)劃于2026年發(fā)布的下一代AI加速器平臺(tái)Rubin。這種芯片技術(shù)采用了引線鍵合和銅互連技術(shù)，每個(gè)模塊連接16個(gè)DRAM芯片——這與HBM使用的硅通孔技術(shù)形成鮮明對(duì)比。銅互連結(jié)構(gòu)顯著增強(qiáng)了散熱性能，這對(duì)AI系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行和可靠性至關(guān)重要。

美光宣稱其最新LPDDR5X芯片能效比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手高出20%，這一數(shù)據(jù)無疑是其贏得英偉達(dá)訂單的關(guān)鍵因素?？紤]到每臺(tái)AI服務(wù)器將搭載四個(gè)SOCAMM模塊（總計(jì)256個(gè)DRAM芯片），散熱效率的重要性尤為突出。高效的散熱設(shè)計(jì)不僅能提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性，還能延長硬件的使用壽命。

分析師認(rèn)為，SOCAMM的可擴(kuò)展性意味著它未來可能應(yīng)用于更廣泛的英偉達(dá)產(chǎn)品線，包括其即將推出的個(gè)人超級(jí)計(jì)算機(jī)項(xiàng)目DIGITS。這意味著，美光的技術(shù)突破不僅將在AI領(lǐng)域產(chǎn)生重大影響，還可能在更廣泛的計(jì)算領(lǐng)域產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。

此外，美光在低發(fā)熱量?jī)?nèi)存技術(shù)上的突破，也有望提升其在競(jìng)爭(zhēng)激烈的HBM領(lǐng)域的地位。隨著行業(yè)向需要堆疊12層甚至16層DRAM的HBM4邁進(jìn)，熱管理已成為關(guān)鍵的差異化因素。美光的這一技術(shù)突破，將有助于其更好地應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)，為未來的技術(shù)發(fā)展奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

總的來說，英偉達(dá)與美光的合作是雙方共同追求高效、低功耗內(nèi)存解決方案的體現(xiàn)。美光憑借其卓越的技術(shù)實(shí)力和敏銳的市場(chǎng)洞察力，成功贏得了英偉達(dá)的青睞，成為了SOCAMM內(nèi)存芯片的獨(dú)家供應(yīng)商。這一合作不僅將推動(dòng)內(nèi)存技術(shù)的進(jìn)步，還可能為整個(gè)行業(yè)帶來更大的影響力。

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