6月14日消息，東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出采用最新一代工藝制造的"TK055U60Z1"，進一步擴充了N溝道功率MOSFET系列產品線。該器件采用超級結結構，耐壓600V，適用于數據中心、開關電源和光伏發(fā)電機功率調節(jié)器。該新產品是東芝DTMOSVI系列中的首款600V產品，已經開始批量出貨。

通過對柵極設計和工藝進行優(yōu)化，與具有相同漏源電壓額定值的東芝目前的DTMOSIV-H系列產品相比，600V DTMOSVI系列產品的單位面積漏源導通電阻降低了約13%，漏源導通電阻×柵漏電荷（MOSFET性能的品質因數）降低了約52%。這有助于確保該系列產品實現導通損耗和開關損耗的雙重降低，并最終實現了開關電源效率的提高。

該新產品采用TOLL封裝，柵極驅動采用開爾文連接?？梢酝ㄟ^降低封裝中源極線電感的影響，增強MOSFET的高速開關性能，從而抑制開關過程中的振蕩。

未來，東芝將繼續(xù)擴展600V DTMOSVI系列產品線，以及已發(fā)布的650V DTMOSVI系列產品，并通過降低開關電源的功率損耗來達到節(jié)約節(jié)能的目的。

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