原標題：傲騰技術：打破傳統(tǒng)內(nèi)存和存儲的邊界！

我們知道，英特爾開發(fā)了全新的行業(yè)領先的介質3D Xpoint，該技術定位于內(nèi)存和存儲架構中的新層，推動了現(xiàn)有數(shù)據(jù)中心架構的現(xiàn)代化，從而填補了高性能易失性內(nèi)存和性能和價格較低但容量大的NAND存儲之間的缺口。

而英特爾傲騰技術的獨特之處在于它結合了低延遲、高服務質量(QoS)、高耐用性和高吞吐量?；谠摻橘|，英特爾還推出了傲騰數(shù)據(jù)中心級持久內(nèi)存，彌補了系統(tǒng)對大容量內(nèi)存的迫切需求。

此外，該介質斷電數(shù)據(jù)不丟失的特性和DRAM相比極具優(yōu)勢。應該說，傲騰技術的出現(xiàn)打破了傳統(tǒng)內(nèi)存和存儲的邊界，實現(xiàn)不同層級數(shù)據(jù)更平滑的存取，進一步提升了整個業(yè)務系統(tǒng)運行的性能。

誠如英特爾公司高級副總裁兼非易失性存儲解決方案事業(yè)部總經(jīng)理Rob Crooke所表示的那樣，世界正在以驚人的速度產(chǎn)生數(shù)據(jù)，讓各類企業(yè)越來越難以高效處理數(shù)據(jù)。從所有數(shù)據(jù)中獲取價值的能力將是決定成敗的關鍵。而在內(nèi)存和存儲層級結構中實現(xiàn)突破性的前沿創(chuàng)新，正是英特爾在這一領域的驅動力所在。

這也讓我們看到，內(nèi)存和存儲如今已經(jīng)成為英特爾的戰(zhàn)略性增長業(yè)務。在2019英特爾內(nèi)存與存儲日上，英特爾解析了內(nèi)存與存儲層級結構之間出現(xiàn)新差距的原因，以及英特爾傲騰技術和英特爾3D NAND技術如何彌合這些差距，使內(nèi)存和存儲層級結構變得完整。

英特爾在研究中發(fā)現(xiàn)，內(nèi)存技術傾向于增加容量，而不是增加吞吐量。這意味著每單位容量的帶寬隨著時間的推移而減少，從而延長了訪問任何特定層大數(shù)據(jù)集所需的時間。

因此彌合這兩個差距需要新技術，這種技術的容量比DRAM更高、成本卻更低，它還具備近DRAM級的性能（時延和吞吐量）。由于新內(nèi)存還必須顯示為存儲，因此，它必須在整個重啟過程中擁有持久性?；诜且资У挠⑻貭?D XPoint介質，英特爾還打造了創(chuàng)新型的結合內(nèi)存、存儲屬性的數(shù)據(jù)中心傲騰固態(tài)盤。

據(jù)了解，英特爾傲騰固態(tài)盤的時延大約是10微秒級，只有NAND固態(tài)盤的十分之一。更好的一點是：它們能夠快速、可靠地返回數(shù)據(jù)，在這方面遠超NAND固態(tài)盤。也就是說，英特爾傲騰固態(tài)盤彌合了部分差距，使更多內(nèi)存更靠近CPU。

此外，英特爾傲騰數(shù)據(jù)中心級持久內(nèi)存使得英特爾傲騰內(nèi)存可直接通過加載存儲質量進行訪問，并不需要操作系統(tǒng)干預。它們還允許訪問單一緩存行，數(shù)據(jù)能夠以100納秒的速度被訪問（~100納秒-~340納秒之間，具體取決于DRAM緩存命中率）。因此，作為持久內(nèi)存，英特爾傲騰內(nèi)存介質彌合了層級架構中的另一個差距。

更讓人激動的是，在內(nèi)存與存儲日上，英特爾宣布代號為“Barlow Pass”的第二代英特爾傲騰數(shù)據(jù)中心級持久內(nèi)存將在2020年與下一代英特爾至強可擴展處理器一同發(fā)布。此外，英特爾還透露，2019年第四季度將會推出96層的3D NAND閃存產(chǎn)品，并且還率先在業(yè)內(nèi)展示了用于數(shù)據(jù)中心級固態(tài)盤的144層QLC（四級單元）NAND，預計也將于2020年推出。

在過去一年多的時間里，英特爾傲騰數(shù)據(jù)中心級產(chǎn)品在國內(nèi)市場的推進速度非常迅猛。誕生至今，傲騰從技術轉化為產(chǎn)品、解決方案，再到實際部署，我們看到了越來越多的成功案例。

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