北京時(shí)間7月3日消息，據(jù)外媒報(bào)道，近日三星更新了他們的芯片工藝線路圖，其中三星在芯片工藝上將會(huì)跳過4nm制程工藝，直接從5nm制程工藝提升至3nm制程工藝。三星這樣的計(jì)劃，主要是為了能夠與行業(yè)前列的臺(tái)積電進(jìn)行競爭。

臺(tái)積電近幾年一直走在行業(yè)前列，除了7nm和5nm工藝都是率先量產(chǎn)，他們還獲得了大量的其他企業(yè)的代工合同。三星現(xiàn)在直接進(jìn)行3nm工藝研發(fā)，就是為了縮小與臺(tái)積電的差距，甚至實(shí)現(xiàn)超越。不過，臺(tái)積電此前就已經(jīng)開始了3nm制程工藝的研發(fā)，因此鹿死誰手還是未知數(shù)。

按照5月份時(shí)候的計(jì)劃，三星將會(huì)從8月份開始批量生產(chǎn)5nm Exynos芯片，同時(shí)他們還會(huì)繼續(xù)改進(jìn)已經(jīng)推出的7nm芯片Exynos 990。

消息人士透露，三星已經(jīng)完成了基于5nmEUV工藝的下一代ExynosSoC批量生產(chǎn)所需的所有準(zhǔn)備工作。三星的芯片部門還在等待，等待有關(guān)是否要用在Galaxy Note 20系列中的決定。

另外，三星從今年2月份開始就已經(jīng)在批量生產(chǎn)用于移動(dòng)設(shè)備的16GB LPDDR5 DRAM芯片。這些芯片已經(jīng)用在了三星Galaxy S20 Ultra5G版身上。近期，三星增加了這款芯片的產(chǎn)量，因此有理由相信將會(huì)運(yùn)用在三星Galaxy Note20系列身上。

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