新型驅(qū)動(dòng)器可提供量身定制的導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)序，將開關(guān)損耗降至最低，并增強(qiáng)dV/dt抗擾性能

美國伊利諾伊州芝加哥，2024年5月27日訊--Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動(dòng)力。公司隆重宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器。 這款創(chuàng)新的驅(qū)動(dòng)器專門設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)工業(yè)應(yīng)用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。

IX4352NE的主要優(yōu)勢在于其獨(dú)立的9A拉/灌電流輸出，支持量身定制的導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)序，同時(shí)將開關(guān)損耗降至最低。 內(nèi)部負(fù)電荷調(diào)節(jié)器還能提供用戶可選的負(fù)柵極驅(qū)動(dòng)偏置，以實(shí)現(xiàn)更高的dV/dt抗擾度和更快的關(guān)斷速度。 該驅(qū)動(dòng)器的工作電壓范圍（VDD - VSS）高達(dá)35V，具有出色的靈活性和性能。

IX4352NE的突出功能之一是配備內(nèi)部負(fù)電荷泵調(diào)節(jié)器，無需外部輔助電源設(shè)備或DC/DC轉(zhuǎn)換器。 該功能對于關(guān)斷SiC MOSFET尤其實(shí)用，可以節(jié)省外部邏輯電平轉(zhuǎn)換器電路通常所需的寶貴空間。 邏輯輸入與標(biāo)準(zhǔn)TTL或CMOS邏輯電平兼容，進(jìn)一步增強(qiáng)了節(jié)省空間的能力。

IX4352NE非常適合在各類工業(yè)應(yīng)用中驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET，例如：

車載和非車載充電器，

功率因數(shù)校正（PFC），

DC/DC轉(zhuǎn)換器，

電機(jī)控制器，和

工業(yè)電源逆變器。

卓越的性能使其成為電動(dòng)汽車、工業(yè)、替代能源、智能家居和樓宇自動(dòng)化市場中要求苛刻的電力電子應(yīng)用的理想選擇。

憑借其全面的功能，IX4352NE簡化了電路設(shè)計(jì)并提供了更高的集成度。 內(nèi)置保護(hù)功能，如帶軟關(guān)斷灌電流驅(qū)動(dòng)器的去飽和檢測（DESAT）、欠壓鎖定（UVLO）和熱關(guān)斷（TSD）等，可確保功率器件和柵極驅(qū)動(dòng)器得到保護(hù)。 集成的開漏FAULT輸出向微控制器發(fā)出故障信號(hào)，增強(qiáng)了安全性和可靠性。 此外，IX4352NE還能節(jié)省寶貴的PCB空間并提高電路密度，有助于提高整體系統(tǒng)效率。

對現(xiàn)有IX4351NE的顯著改進(jìn)包括：

由DESAT啟動(dòng)的安全軟關(guān)斷。

高閾值精度熱關(guān)斷。

電荷泵在熱關(guān)斷期間的工作能力。

新款I(lǐng)X4352NE與引腳兼容，可無縫替換指定使用現(xiàn)有Littelfuse IX4351NE的設(shè)計(jì)，該設(shè)計(jì)于2020年發(fā)布。

“IX4352NE通過一種新型9A拉/灌電流驅(qū)動(dòng)器擴(kuò)展了我們廣泛的低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器系列，簡化了SiC MOSFET所需的柵極驅(qū)動(dòng)電路。”Littelfuse集成電路部（SBU）產(chǎn)品經(jīng)理June Zhang表示， “其各種內(nèi)置保護(hù)功能和集成電荷泵提供了可調(diào)的負(fù)柵極驅(qū)動(dòng)電壓，能提高dV/dt抗擾度和關(guān)斷速度。 因此，該產(chǎn)品可以用來驅(qū)動(dòng)任何SiC MOSFET或功率IGBT，無論是Littelfuse器件還是市場上任何其他類似器件?！?/p>

供貨情況

IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器以每管50只的管裝形式供貨，也可以卷帶封裝形式供貨，起訂量2,000只。 可通過Littelfuse全球各地的授權(quán)經(jīng)銷商索取樣品。 如需了解Littelfuse授權(quán)經(jīng)銷商名單，請?jiān)L問Littelfuse.com。

更多信息

有關(guān)新發(fā)布系列的更多信息，請?jiān)L問IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品頁面。如有技術(shù)問題，請聯(lián)系Littelfuse集成電路部（SBU）的以下人員：

產(chǎn)品營銷經(jīng)理Hugo Guzman，HGuzman@Littelfuse.com高級(jí)技術(shù)營銷分析師Klaus Wiedorn，KWiedorn@Littelfuse.com

生成海報(bào)

免責(zé)聲明：本網(wǎng)站內(nèi)容主要來自原創(chuàng)、合作伙伴供稿和第三方自媒體作者投稿，凡在本網(wǎng)站出現(xiàn)的信息，均僅供參考。本網(wǎng)站將盡力確保所提供信息的準(zhǔn)確性及可靠性，但不保證有關(guān)資料的準(zhǔn)確性及可靠性，讀者在使用前請進(jìn)一步核實(shí)，并對任何自主決定的行為負(fù)責(zé)。本網(wǎng)站對有關(guān)資料所引致的錯(cuò)誤、不確或遺漏，概不負(fù)任何法律責(zé)任。任何單位或個(gè)人認(rèn)為本網(wǎng)站中的網(wǎng)頁或鏈接內(nèi)容可能涉嫌侵犯其知識(shí)產(chǎn)權(quán)或存在不實(shí)內(nèi)容時(shí)，應(yīng)及時(shí)向本網(wǎng)站提出書面權(quán)利通知或不實(shí)情況說明，并提供身份證明、權(quán)屬證明及詳細(xì)侵權(quán)或不實(shí)情況證明。本網(wǎng)站在收到上述法律文件后，將會(huì)依法盡快聯(lián)系相關(guān)文章源頭核實(shí)，溝通刪除相關(guān)內(nèi)容或斷開相關(guān)鏈接。