10月15日消息（南山）據臺灣媒體報道，臺積電總裁魏哲家昨日對外強調，公司將在今年內試產3nm制程，使用FinFET架構。預計到明年下半年，正式量產3nm。

這回擊了之前有媒體認為臺積電3nm明年落空的報道。

魏哲家說，臺積電3nm制程獲得了眾多客戶參與，相較于5nm，預期首年會有更多新產品設計定案。

此外，臺積電將推出3nm的延伸制程N3E，將在3nm量產一年后進入到生產階段。魏哲家強調，有信心3nm成為臺積電大規(guī)模且長期需求的制程技術。

據透露，臺積電2nm可能采用GAA（環(huán)繞式閘極電晶體）架構，預期在2025年推出。

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