據(jù)臺媒《工商時(shí)報(bào)》報(bào)道，晶圓代工龍頭臺積電在上周的法說會上透露了其3nm制程的更多細(xì)節(jié)。

據(jù)悉，3nm采用FinFET架構(gòu)及EUV技術(shù)，3nm相對5nm邏輯密度將大幅增加70％，性能提升10-15%，功耗在同樣性能下將降低25-30%，面積為原來的1/1.7，且EUV光罩層數(shù)將倍增。

此前ASML CEO Peter Wennink在財(cái)報(bào)會上指出，5nm制程采用的EUV光罩層數(shù)將超過10層，3nm制程采用的EUV光罩層數(shù)會超過20層，隨著制程微縮EUV光罩層數(shù)會明顯增加，并取代深紫外光（DUV）多重曝光制程。

另外，該報(bào)道稱臺積電將會積極采購EUV光刻機(jī)設(shè)備，未來3～5年仍將是擁有全球最大EUV產(chǎn)能的半導(dǎo)體廠。

在先進(jìn)工藝上，臺積電一直走在業(yè)界前列。該公司EUV技術(shù)已進(jìn)入量產(chǎn)且制程涵蓋7+nm、6nm、5nm。

據(jù)設(shè)備廠商消息，臺積電7+nm采用EUV光罩層最多達(dá)四層，AMD新一代Zen 3架構(gòu)處理器預(yù)期是采用該制程量產(chǎn)。6nm已在第四季進(jìn)入量產(chǎn)，EUV光罩層數(shù)較7+nm增加一層，包括聯(lián)發(fā)科、英偉達(dá)、英特爾等大廠都將采用6nm生產(chǎn)新一代產(chǎn)品。

今年下半年開始量產(chǎn)5nm制程，主要為蘋果量產(chǎn)A14及A14X處理器，包括AMD、高通、英偉達(dá)、英特爾、博通等都會在明年之后導(dǎo)入5nm制程量產(chǎn)新一代產(chǎn)品。

此外，3nm產(chǎn)品將會在2021年出現(xiàn)在市場上，2022年開始大批量生產(chǎn)。

生成海報(bào)

免責(zé)聲明：本網(wǎng)站內(nèi)容主要來自原創(chuàng)、合作伙伴供稿和第三方自媒體作者投稿，凡在本網(wǎng)站出現(xiàn)的信息，均僅供參考。本網(wǎng)站將盡力確保所提供信息的準(zhǔn)確性及可靠性，但不保證有關(guān)資料的準(zhǔn)確性及可靠性，讀者在使用前請進(jìn)一步核實(shí)，并對任何自主決定的行為負(fù)責(zé)。本網(wǎng)站對有關(guān)資料所引致的錯(cuò)誤、不確或遺漏，概不負(fù)任何法律責(zé)任。任何單位或個(gè)人認(rèn)為本網(wǎng)站中的網(wǎng)頁或鏈接內(nèi)容可能涉嫌侵犯其知識產(chǎn)權(quán)或存在不實(shí)內(nèi)容時(shí)，應(yīng)及時(shí)向本網(wǎng)站提出書面權(quán)利通知或不實(shí)情況說明，并提供身份證明、權(quán)屬證明及詳細(xì)侵權(quán)或不實(shí)情況證明。本網(wǎng)站在收到上述法律文件后，將會依法盡快聯(lián)系相關(guān)文章源頭核實(shí)，溝通刪除相關(guān)內(nèi)容或斷開相關(guān)鏈接。