三星電子加速平澤P4工廠投資 總投資或達(dá)7萬億韓元
據(jù)業(yè)內(nèi)消息,三星電子正在加快推進(jìn)平澤第四園區(qū)(P4)工廠二期(PH2)和四期(PH4)建設(shè)。該項(xiàng)目總投資預(yù)計約7萬億韓元,外部建設(shè)工程將于今年下半年啟動。
值得注意的是,原計劃作為NAND閃存工廠的一期(PH1)已轉(zhuǎn)型為混合生產(chǎn)線,同時生產(chǎn)NAND閃存和10納米級1a DRAM。目前該產(chǎn)線設(shè)備安裝已進(jìn)入最后階段。
針對二期(PH2)的用途,三星電子內(nèi)部仍在討論中。據(jù)悉,公司正評估將其作為專用DRAM生產(chǎn)基地或改造為混合晶圓廠的可行性。這一決策將影響三星在存儲芯片市場的戰(zhàn)略布局。
行業(yè)觀察人士指出,隨著人工智能和高端計算需求激增,三星此次大規(guī)模投資將強(qiáng)化其在全球存儲芯片市場的領(lǐng)先地位。
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